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Aktive Komponenten

SiC Mosfets

Bild Serie/Typ Hersteller Produktgruppe Artikelkategorie Hauptkategorie Gehäusetyp Topologie Sperrspannung [V] RDS on [mOhm] Nennstrom [A] Nennstrom [mA] Nennstrom [25°] Betriebstemperatur[°C] Produkt Feature Produkt Status
SemiQ GCMX020A120B2B1P GCMX020A120B2B1P SemiQ SiC Module SiC Mosfets Aktive Komponenten B2 Half Bridge Module 1200 19 102 0,102 89 -40 to 175
• High speed switching SiC MOSFETs • Reliable body diode • All parts tested to above 1350 V • Kevin reference for stable operation • Press fit terminal connection
 in production
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SemiQ GCMX010A120B2B1P GCMX010A120B2B1P SemiQ SiC Module SiC Mosfets Aktive Komponenten B2 Half Bridge Module 1200 9 214 0,214 186 -40 to 175
• High speed switching SiC MOSFETs • Reliable body diode • All parts tested to above 1350 V • Kevin reference for stable operation • Press fit terminal connection
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